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机译:通过脉冲沉积生长的Bi_(1-x)Sb_x纳米线阵列的结构和成分表征,以提高生长均匀性
Material Research Department, GSI Helmholtz Centre for Heavy Ion Research GmbH, Plankstr, 1, 64291 Darmstadt, Germany ,Technische Universitaet Darmstadt, Material- und Geowisenschaften, Petersenstrasse 23, 64287 Darmstadt, Germany;
Material Research Department, GSI Helmholtz Centre for Heavy Ion Research GmbH, Plankstr, 1, 64291 Darmstadt, Germany;
Institute for Applied Physics, Auf der Morgenstelle 10, 72076 Tuebingen, Germany;
Institute for Applied Physics, Auf der Morgenstelle 10, 72076 Tuebingen, Germany;
Institute for Applied Physics, Auf der Morgenstelle 10, 72076 Tuebingen, Germany;
Material Research Department, GSI Helmholtz Centre for Heavy Ion Research GmbH, Plankstr, 1, 64291 Darmstadt, Germany ,Technische Universitaet Darmstadt, Material- und Geowisenschaften, Petersenstrasse 23, 64287 Darmstadt, Germany;
Material Research Department, GSI Helmholtz Centre for Heavy Ion Research GmbH, Plankstr, 1, 64291 Darmstadt, Germany;
Nanowires; Thermoelectrics; Ion track; Electrodeposition; Bismuth antimony;
机译:(FECO)_(1-X)CR_X纳米线阵列的结构和磁性表征通过脉冲电沉积制备
机译:(Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3热电薄膜的脉冲电沉积
机译:金属有机化学气相沉积法生长的II型InAs / lnAs_(1-x)Sb_x超晶格的结构和光学表征
机译:BI和BI_(1-x)SB_X纳米线阵列的热电电位
机译:III-V族半导体纳米线阵列的生长和表征通过选择性区域金属有机化学气相沉积。
机译:脉冲电位沉积技术电沉积织构铁纳米线阵列的单轴磁化性能
机译:通过脉冲激光沉积在(La,Sr)CoO 3覆盖的MgO(100)衬底上外延生长的成分增高和降级(Ba,Sr)TiO3薄膜的比较微观结构研究
机译:通过脉冲激光沉积生长的高四面体配位类金刚石碳膜的结构和电学表征