...
机译:GaN单晶和辐射探测器中的载流子传输和俘获以及中子辐照的影响
Vilnius Univ, Semicond Phys Dept, Inst Mat Sci & Appl Res, LT-10222 Vilnius, Lithuania;
GaN; carrier transport and capture; mobility; carrier scattering; THERMALLY STIMULATED CURRENTS; SEMIINSULATING GAAS; POTENTIAL FLUCTUATIONS; HALL-MOBILITY; PHOTOCONDUCTIVITY; SEMICONDUCTOR; DIODES; FIELD;
机译:热激发法研究GaN单晶和辐射探测器中的载流子传输
机译:单晶金刚石探测器在α和中子辐照下快速中子束诊断的时间稳定性
机译:14.8 MeV中子辐照的高质量合成单晶化学气相沉积金刚石探测器的辐射耐受性
机译:中子辐照下 6 sup> LiF覆盖的单晶金刚石探测器在高温下的行为
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:硼中子捕获治疗从体外照射的热中子相对生物效能因素
机译:中子辐射辐照诱导Si掺杂GaN单晶中的缺陷
机译:通过中子(n)和质子(p)照射增强YBaCuO单晶的临界电流