机译:中子辐照双面硅微带探测器的辐射耐受性研究
GSI Helmholtzzentrum fuer Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt, Germany;
Goethe University, Frankfurt am Main, Germany;
GSI Helmholtzzentrum fuer Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt, Germany;
GSI Helmholtzzentrum fuer Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt, Germany;
Goethe University, Frankfurt am Main, Germany,Kiev Institute for Nuclear Research, Kiev, Ukraine;
Goethe University, Frankfurt am Main, Germany,Kiev Institute for Nuclear Research, Kiev, Ukraine;
GSI Helmholtzzentrum fuer Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt, Germany,Kiev Institute for Nuclear Research, Kiev, Ukraine,Johannes Gutenberg University, Mainz, Germany;
GSI Helmholtzzentrum fuer Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt, Germany;
FAIR; CBM; Silicon detector; Radiation damage; Charge collection;
机译:中子辐照双面楔形微带硅探测器的辐射损伤分析
机译:中子辐照前后具有n / sup + // n / p / sup + /和双面多重保护环结构的硅像素探测器的表征
机译:特殊保护环结构的双面硅条探测器的辐照测试
机译:中子辐照双面楔形微带硅探测器的辐射损伤分析
机译:中子辐照导致碳化硅探测器位移损伤的建模。
机译:碳化硅微带辐射探测器
机译:带有多晶硅偏置电阻器的双面微带检测器的特性和辐射容限