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机译:辐射耐受,薄,无源CMOS传感器用RD53A芯片读出
University of Bonn Physikalisches Institut Nussallee 12 53115 Bonn Germany;
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Solid state detectors; Pixel detectors; Radiation-hard detectors; Hybrid pixels; Silicon sensors;
机译:使用RD53A读数芯片在150nm LFoundry技术中表征小像素无源CMOS传感器
机译:符合1 MGy容限且采用65 nm CMOS设计的前端芯片的资格鉴定方法,用于在ITER维护期间读取远程操作的传感器和执行器
机译:在照射到1×10〜(16)NEQCM-2后,首先在3D像素传感器上互连到RD53A读数芯片的效果。
机译:耐辐射CMOS APS片上系统图像传感器的设计
机译:0.13μmCMOS的耐辐射环形振荡器锁相环
机译:用于无源RFID标签芯片的嵌入式CMOS温度传感器的设计
机译:65纳米CMOS耐MGy的前端芯片的设计和鉴定,可在ITER维护期间读取远程操作的传感器和执行器。