机译:MCT外延层中扩散长度的温度依赖性
Orion R&P Assoc Inc, 9 Kosinskaya Str, Moscow 111538, Russia|Moscow Inst Phys & Technol, Inst Per 9, Dolgoprudnyi 141700, Moscow Oblast, Russia;
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MCT; infrared range; heteroepitaxial structures; minority charge carriers; diffusion length;
机译:铜和钌层自旋扩散长度的温度依赖性
机译:使用新型多层多孔硅叠层的无外延薄硅箔无缝层转移,具有近100%的分离率和大的少数载流子扩散长度
机译:Au表面层面二极管陶瓷的最佳扩散退火温度的测定及过渡温度对疾病的依赖性
机译:p型HGCDTE外延层中的扩散长度测定
机译:长度刻度的温度依赖性,以在玻璃形成液体中协同运动。
机译:电子密度和电子电子的温度依赖性SiC上生长的单层外延石墨烯中的相互作用
机译:Cd (_ {1-x} )Mn (_ x )Te外延层折射率的组成和波长依赖性