...
首页> 外文期刊>日経マイクロデバイス >装置プラットフォームを一新液浸とeuv で11nmまで対応
【24h】

装置プラットフォームを一新液浸とeuv で11nmまで対応

机译:具有新的浸入式和euv的高达11nm的设备平台

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

2009年は,業界で既に強い地位を築 いた液浸ArF露光装置のビジネスをさら に伸ばしていく。NAND型フラッシュ・ メモリーでは50~40nm世代,DRAM では50nm世代,ロジックLSIでは45nm 世代への微細化が進んでいる。いずれ においても液浸装置の引き合いは強い。 2008年に,われわれの液浸装置の出荷 台数は,前年比で1.7倍に伸びた。
机译:2009年,我们将进一步扩大浸没式ArF曝光设备的业务,该设备已经在行业中确立了强大的地位。 NAND闪存的小型化正朝着50-40 nm的方向发展,DRAM的微型化正在向50 nm的方向发展,逻辑LSI的微型化正在向45 nm的方向发展。在这两种情况下,有关浸入设备的询问都很激烈。 2008年,我们的浸入式设备的发货量比上年增长了1.7倍。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号