立体チャネルもオン電流向上が焦点にひずみSiとの融合が相次ぐ

摘要

LSIメーカー各社が開発に力を入れる，rnフィンFETやナノワイヤーFET。オフ・リrnーク電流の抑制を主眼とするこれら立体rnチャネルFETでも，オン電流向上が焦点rnとなっている。立体チャネルが導入されrnる見通しの22nm以降では，オン電流へrnの要求が厳しくなることが背景にある。rnオン電流向上に向けて，まずはひずrnみSi技術との融合が課題となる。