Lsiの製造・材料技術革新・2x～1xnmへの道，非si材料がカギに

摘要

半導体デバイスでは2009年以降，新たな材rn料や構造を導入して動作速度や集積度を高めるrn動きが活発化する。この進化には，2通りの方rn向がある。微細化を極限まで追う「MorernMoore」と，微細化に頼ることなくデバイスの機rn能を高める「More than Moore」である。2009rn年には，これらの進化に向けたデバイス量産技rn術が，LSIメーヵーや装置メーヵーから相次ぐ。