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耐坮60~75vで産榠用途向けオン抵抗とゲート電荷をバランス良く改善

机译:在电阻为60-75v的卫生应用中实现导通电阻和栅极电荷的均衡平衡改善

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摘要

「IRF1018EPbF」「IRFB3806PbF」「IRFB3607PbF」は,産業用途向けの,耐圧が60~75Vのn型チャンネルパワーMOSFET。インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン,本社東京)が,2008年8月20日に発売を開始した。いずれもトレンチ技術と呼ぶ,シリコン基板上に溝を形成することによって所望の特性を改善する技術を使ったもの。これにより,オン抵抗とゲート電荷をバランス良く改善した。
机译:“ IRF1018EPbF”,“ IRFB3806PbF”和“ IRFB3607PbF”是击穿电压为60-75V的n型沟道功率MOSFET,适用于工业应用。日本国际整流器公司(日本IR,总部东京)已于2008年8月20日推出。所有这些都称为沟槽技术,该技术使用通过在硅衬底上形成凹槽来改善所需特性的技术。这样可以很好地平衡导通电阻和栅极电荷。

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  • 来源
    《日経ものづくり》 |2008年第10期|153|共1页
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