シリアル伝送と専用線の追加でSDメモリーカードを300Mバイト／秒に

摘要

2010年春を目標に策定中の，SDメモリーカードの次世代仕様「SD Specification Version 4.00」（仮称）において，高速伝送用の専用端子を追加する案が浮上している（表1）。LVDSによる差動伝送を導入し，データの読み出し／書き込み用バス（以下，SDバス）の最大データ伝送速度を，現行の最大104Mバイト／秒から300Mバイト／秒まで引き上げるためだ。