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机译:用于建模微波FET中低频色散效应的等效电压方法
Dept. of Electron., Comput. Sci. & Syst., Bologna Univ., Italy;
microwave field effect transistors; semiconductor device models; Schottky gate field effect transistors; high electron mobility transistors; low-frequency dispersive phenomena; LF dispersive effects; microwave FETs; equivalent-voltage approach; equiv;
机译:“ Backgating”模型包括自加热,可在III-V FET中实现低频色散效应
机译:III-V FET的陷阱和热现象引起的低频色散效应的经验模型
机译:低频色散效应存在下的精确pHEMT非线性建模
机译:III-V FET中由于陷阱和热现象引起的低频色散效应的经验模型
机译:带有两个流,五个场的欧拉-欧拉方法的分散流膜沸腾模型以及隔板对传热的影响。
机译:通过微波快速无创地表征乳液的分散性
机译:用于建模微波FET中低频色散效应的等效电压方法