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机译:基于四端口测量的RF MOSFET衬底参数提取
MOSFET; microwave field effect transistors; microwave measurement; multiport networks; semiconductor device measurement; semiconductor device models; 250 MHz to 8.5 GHz; RF MOSFET; T-liked substrate resistance network; cold MOSFET; extrinsic capacitances; four-port;
机译:使用
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