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机译:热载流子引起的低复杂度0.13μmCMOS双极晶体管退化的直流电和低频噪声分析
STMicroelectronics 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles cedex, France;
机译:热载流子对绝缘体上部分耗尽的硅上金属氧化物半导体场效应晶体管中低频噪声的降解
机译:模拟和RF工作条件下MOS晶体管中低频噪声的热载流子衰减
机译:高$ k $ /金属栅32-nm CMOS晶体管中的低频噪声研究和噪声变异性分析
机译:在0.13 / spl mu / m和0.18 / spl mu / m的RF CMOS技术中,热载流子应力引起的低频噪声衰减
机译:硅锗异质结双极晶体管BiCMOS技术中的低频噪声。
机译:用于生物电子应用的CMOS集成低噪声结型场效应晶体管
机译:在3-GHz LNA应用中的CMOS 0.13-μm晶体管的精确BSIM4噪声参数的开发
机译:双极晶体管中热载流子应力与电离诱导退化的相关性