机译:基于垂直λ双极晶体管的新型SRAM存储单元的分析与设计
Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, 1F No. 23, R&D Road I, SBIP, Hsinchu 300, Taiwan, ROC;
negative-differential-resistance; lambda-bipolar-transistor; SRAM;
机译:5MHz,3.6mW,1.4V SRAM,具有非增强型垂直双极性位线接触式存储单元
机译:基于纳米电子单电子晶体管的混合SRAM池设计与分析
机译:基于Sub-1-V-60nm垂直体沟道MOSFET的六晶体管静态随机存取存储阵列,具有宽的噪声容限和出色的功率延迟乘积,并且通过静态随机存取存储单元的单元比对其进行了优化
机译:具有非增强型垂直双极性位线接触式存储单元的3.6 mW 1.4 V SRAM
机译:基于纳米级FinFET的存储器单元的物理分析,建模和设计
机译:基于纳米管的存储单元的设计与分析
机译:基于标准6T SRAM细胞的异质隧道晶体管(HETT)的设计与分析