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机译:具有新型Si / Ge超晶格沟道的电荷捕获闪存设备的增强的操作和保留特性
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, ROC;
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, ROC;
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, ROC;
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan, ROC;
flash memory; charge trapping; super-lattice channel; Si; Ge;
机译:具有Si / Ge超晶格沟道和带间隧穿引起的热电子注入的p沟道电荷陷阱闪存器件的性能增强
机译:具有外延Si / Ge超晶格沟道的p沟道电荷陷阱闪存器件的性能增强
机译:具有SiGe埋入通道的多晶硅纳米线电荷陷阱闪存设备的增强操作特性
机译:具有SiGe掩埋沟道和堆叠电荷捕获层的电荷捕获闪存器件的改进的操作特性
机译:SONOS非易失性存储设备中的均匀和局部电荷陷阱。
机译:通过利用氧化铝的高介电常数和高带隙低功率和闪光阵列的低功率和闪光阵列的保留增强
机译:使用闪存设备的内置擦除操作提取设备指纹