机译:基于Si₃n₄/ Zro的堆叠捕获层的门 - 全绕连接闪存装置的操作特性
机译:具有SiGe和GE埋入通道的多Si纳米线电荷捕获闪存装置的操作特性
机译:HfO2 / SiON / SiN堆叠陷阱层对多晶硅闪存器件工作特性的影响
机译:带隙工程隧穿层对多功能电荷捕获闪存装置的操作特性
机译:设计用于非易失性闪存设备的纳米晶体浮栅。
机译:基于芴的新型共轭侧链含氟聚合物用于发光和三元闪存器件
机译:使用NAND闪存作为高密度突触装置的多层神经网络操作方案
机译:在某些EpROm,EEpROm,闪存和闪存微控制器211半导体器件以及包含它的产品中。调查编号337-Ta-395