...
机译:形成气体退火对n和p-In0.53Ga0.47As MOS电容器的反转响应和少数载流子产生寿命的影响
Natl Univ Ireland Univ Coll Cork, Tyndall Natl Inst, Cork, Ireland;
Natl Univ Ireland Univ Coll Cork, Tyndall Natl Inst, Cork, Ireland;
Natl Univ Ireland Univ Coll Cork, Tyndall Natl Inst, Cork, Ireland;
Natl Univ Ireland Univ Coll Cork, Tyndall Natl Inst, Cork, Ireland;
Natl Univ Ireland Univ Coll Cork, Tyndall Natl Inst, Cork, Ireland;
Natl Univ Ireland Univ Coll Cork, Tyndall Natl Inst, Cork, Ireland;
InGaAs; Inversion; Forming gas; Annealing; Minority carrier; Minority carrier generation lifetime; Al2O3;
机译:催化化学气相沉积制备的前驱体非晶硅薄膜的闪光灯退火形成的高质量载流子寿命在5μs以上的多晶硅薄膜
机译:利用生长后退火显着提高载流子寿命来确定BaSi_2富含地球的吸收剂薄膜中的少数载流子寿命
机译:反型MOS系统的电容和电导,带有氧化物电容和少数载流子寿命提取
机译:扩展的静态CV过程可研究MOS电容器中少数载流子的产生
机译:通过砷和锑的离子注入,提高了劣质硅中少数载流子的寿命。
机译:制备工艺和退火处理对硅纳米线薄膜少数载流子寿命的影响
机译:从MOS电容器中提取少数载流子寿命的方法比较
机译:光束退火和热退火半导体的少数载波研究