机译:超薄栅氧化物的初始生长步骤
机译:通过限制反应溅射在初始生长阶段的生长延迟时间制备Zro_2超薄膜薄膜作为栅极电介质
机译:抑制NMOSFET中超薄栅极氧化物的边缘直接隧穿的聚再氧化工艺步骤
机译:甲基铝氧烷形成初始步骤的热化学。通过氢氧化二甲基铝及其二聚体聚集体中的甲烷消除铝氧烷和环铝氧烷
机译:微量Al表面污染对超薄栅氧化物氧化生长动力学的影响。
机译:氧化物表面和金属氧化物界面的反应性:水蒸气压力对超薄氧化铝膜的影响,以及铂在超薄氧化膜上的生长模式及其对粘附力的影响的研究。
机译:红花烯的初步步骤二氧化硅上的膜生长
机译:有限反应溅射制备ZrO2超薄膜作为栅极电介质 - 初始生长阶段的生长延迟时间
机译:表面氧化过程初始步骤的光谱研究:研究反应堆管材上氧化层形成的研究。 1987年2月15日至1990年2月15日期间的最后报告