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机译:新型高纵横比超厚紫外光刻胶在微电镀中的应用
Microsystems Technology Laboratory, Institute for Electromechanical Design, Technische Universität Darmstadt, Darmstadt, Germany;
Microelectroplating; UV LIGA; negative photoresists SU-8 versus AZ 125 nXT; wet removal;
机译:高纵横比,超厚负性近紫外光刻胶及其在MEMS中的应用
机译:高纵横比,超厚,负性近紫外光刻胶及其在MEMS中的应用
机译:使用KMPR光刻胶的紫外光刻和超厚微金属结构的成型加工
机译:高纵横比,超厚,负性近紫外光刻胶,用于MEMS应用
机译:深紫外光致抗蚀剂技术中的问题:用于248和213 nm光刻的本体和表面成像抗蚀剂的表征和建模。
机译:用于生物应用中高纵横比微结构的低荧光厚光刻胶的开发
机译:高纵横比,超厚,负性近紫外光刻胶及其在MEMS中的应用
机译:远(深)紫外高强度激光(准分子)辐射脉冲在聚合物中的孔形成(蚀刻)及其与聚合物深紫外光解中光刻胶的相关性