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机译:一氧化氮钝化过程中4H-SiC / SiO_2界面氮掺入的机理
Electrical and Computer Engineering Department, University of Maryland, College Park, USA;
Electrical and Computer Engineering Department, University of Maryland, College Park, USA;
Electrical and Computer Engineering Department, University of Maryland, College Park, USA;
U.S. Army Research Lab, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, MD, USA 20783;
Density functional theory; counter-doping; NO passivation; power MOSFET; threshold voltage instability;
机译:NO钝化过程中SiO_2 / 4H-SiC界面氮结合的动力学
机译:SiO_2 / 4H-SiC界面附近碳空位的稳定性和扩散机理的第一性原理研究
机译:一氧化氮中的后氧化退火对4H-SiC / SiO_2高温氧化后界面性能的影响
机译:一氧化氮对4H-SiC / SiO_2界面的钝化
机译:I.水和百万分之二氧化氮浓度之间汽相反应的速率和机理。二。水蒸气存在下百万分之一浓度的一氧化氮的空气氧化机理
机译:外延过程中将原位氮掺入4H-SiC的新模型
机译:第一原理研究裂变产物(XE,CS,SR)在碱土金属氧化物,HFO2和MgO-HfO2 interface中掺入和偏析
机译:DaREX废气与溶液相关的平衡研究 - 水,硝酸,盐酸和aqua Regla中氩,氯,氯化氢,一氧化氮,氮,二氧化氮,一氧化二氮和氧的溶解度的文献综述