机译:冷拆开运动型散液结果为掺杂的4H-SIC BOULLE
Siltectra GmbH;
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Rough Surfaces; Crystal; Crystalline Materials; Surface Treatment; Substrate; Laser Materials Processing; Wide Band Gap Semiconductors; Cracks; Stress; Silicon Carbide; Kerf-Free Wafering Techniques;
机译:重氮掺杂4H-SiC球团(000-1)C面上的表面形貌和堆垛层错成核研究
机译:厚自立式轻掺杂n型4H-SiC晶片的制备
机译:PVT生长的4H-SiC晶片中掺杂浓度变化的影响
机译:掺杂的4H-SIC槽的冷拆开运动型晶圆结果
机译:半导体闪烁体中厚n掺杂InP晶片的光学和发光研究
机译:掺杂变化对4H-SiC晶片晶格畸变的影响
机译:恢复法:新型无Kerf pV Wafering,提供低成本方法,可生成厚度从150um到50um的晶圆