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机译:低温分子束外延生长TlGaAs / GaAs量子阱结构的限制
Department of Electric and Control Systems Engineering, Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University, 1060 Nishi-Kawatsu, Matsue, Shimane 690-8504, Japan;
molecular-beam epitaxy; quantum-well; thallium gallium arsenide; x-ray diffraction;
机译:低温分子束外延生长TlGaAs
机译:退火对低温MBE生长的TlGaAs / GaAs单异质结构和TlGaAs / GaAs多量子阱结构的影响
机译:TlGaAs / GaAs多量子阱结构的低温MBE生长
机译:分子束外延生长的应变补偿GaInNAs / GaAs / GaAs量子阱结构的光致发光研究
机译:砷化铝镓/砷化铟镓单量子阱调制掺杂的场效应晶体管结构的分子束外延生长和表征。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:Sb在分子束外延生长1.55 \ u3bcmu m GaInN(Sb)As / GaNAs量子阱结构和光学性质中的作用
机译:利用分子束外延制作量子阱器件。