机译:真空退火对蒸发的并五苯薄膜在存储器件中的作用
Department of Physics, Dayananda Sagar College of Engineering, Shavige Malleswara Hills, Kumaraswamy Layout P.O., Bangalore 560078, Karnataka, India;
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Pentacene; Thin films; Vacuum thermal evaporation; Annealing; WORM memory;
机译:热退火对用于太阳能电池的真空蒸发多晶CdTe薄膜的物理性能的影响
机译:Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜在不同温度下退火的电学特性,用于非易失性存储器件
机译:Bi 4 sub> Ti 3 sub> O 12 sub>铁电薄膜在不同温度下退火的电学特性,用于非易失性存储器件
机译:BA(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3薄膜的铁电特性在退火后处理,用于非易失性存储器件中的应用
机译:并五苯薄膜的生长和结构动力学及其在OTFT和OPV中的应用。
机译:TEM和XPS研究在Si(100)上蒸发的超薄TiDy / Pd双层薄膜中的真空退火现象
机译:有机薄膜晶体管应用的戊烯膜交替磁场辅助退火的影响
机译:直接观察siO(sub 2)薄膜中的移动质子:在新型存储器件中的潜在应用