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机译:硫化铜锡(CuxSnSy)薄膜以x = 3,4原子比蒸发:衬底温度的影响以及随后在硫中的退火
CIEMAT, Dept Energia, Avda Complutense 40, E-28040 Madrid, Spain;
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Chalcogenides; Thin films; Vapor deposition; X-ray diffraction; Crystal structure;
机译:硫化锡薄膜的结构,化学和光学性质受共蒸发和随后退火期间的生长温度控制
机译:衬底温度对电子束蒸发法沉积硫化铜铋薄膜结构,形貌和光学性能的影响
机译:无硫化步骤的旋涂铜锌硫化锌薄膜形成的退火温度的优化
机译:共蒸发得到的硫化锡(Sn_XS_Y)薄膜:对不同气氛中退火性能的影响
机译:氢退火和衬底温度对射频溅射氧化锌薄膜性能的影响
机译:硫化铜纳米粒子薄膜的强脉冲光烧结中的温度结晶相及其对基材性能的影响
机译:基质温度对蒸发热沉积制备硫化镉薄膜结构和光学性质的影响
机译:通过共蒸发和随后的热退火将铁阳离子结合到外延蓝宝石薄膜中