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机译:铟浓度对电沉积制备的CuIn1-xGaxSe2电极-电解质界面电化学性能的影响
Natl Dong Hwa Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hualien 97401, Taiwan;
Natl Dong Hwa Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hualien 97401, Taiwan;
Natl Dong Hwa Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hualien 97401, Taiwan;
Electrochemical impedance spectroscopy; Solid-liquid interface; CuIn1-xGaxSe2; Thin film solar cell; Electrodeposition;
机译:通过电沉积技术制备的Mn-掺杂TiO2的电化学性能和薄膜形态及其作为罗丹明B降解光催化剂的应用及其应用
机译:喷雾热解和电沉积制备赤铁矿薄膜的电化学性能比较
机译:锂空气电池直流电沉积AuPt合金的性能和电化学行为
机译:电沉积制备的Sn修饰的Ni-纳米线阵列膜及其电化学性质作为锂离子电池的负极材料
机译:通过分子束外延制备的氮化铟和富铟氮化物的电和光学特性,用于光电应用。
机译:电极-电解液界面上镁电沉积的原位多峰成像和光谱学
机译:通过电沉积制备的sn改性的Ni-纳米线阵列膜及其作为锂离子电池的负极材料的电化学性质