CuIn1-xGaxSe2太阳能电池薄膜电沉积制备与性能研究

摘要

Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池由于具有高的光电转换效率、低的制造成本以及稳定的光电性能而成为国际光伏界研究的热点.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,铂网电极为辅助电极的三电极体系,利用恒电位电沉积技术在镀钼的钠钙玻璃衬底上制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,深入研究了络合剂柠檬酸浓度对所制备Cu(In,Ga)Se2薄膜的组分、晶相结构、表面形貌和电学性能的影响以及相关机理.实验结果表明:当柠檬酸的浓度为0.2M时,可以制备致密性好,晶粒分布均匀、组分接近化学计量比的黄铜矿结构的Cu(In,Ga)Se2薄膜.