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Growth orientation of the tin whiskers on an electrodeposited Sn thin film under three-point bending

机译:三点弯曲下电沉积锡薄膜上锡晶须的生长方向

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摘要

To release the compressive stress in an as-electrodeposited tin (Sn) layer, filamentary Sn whiskers were formed on the layer aged at room temperature. A three-point bending test was performed on an electrodeposited Sn layer to investigate the Sn whisker growth under mechanically applied tensile stress. Sn whisker growth was mitigated on the Sn layer subjected to a tensile stress in bending. The growth orientation of the Sn whiskers formed on the high tensile stress region was random but directional on the low tensile stress region.
机译:为了释放电沉积锡(Sn)层中的压应力,在室温下老化的层上形成丝状Sn晶须。在电沉积的锡层上进行了三点弯曲测试,以研究在机械施加的拉应力下锡晶须的生长。在弯曲中受到拉伸应力的Sn层上,锡晶须的生长得到缓解。在高拉伸应力区域上形成的锡晶须的生长取向是随机的,而在低拉伸应力区域上是定向的。

著录项

  • 来源
    《Materials Letters》 |2009年第17期|1517-1520|共4页
  • 作者

    Chih-ming Chen; Yu-jen Chen;

  • 作者单位

    Department of Chemical Engineering, National Chung-Hsing University, Taichung 402, Taiwan;

    Department of Chemical Engineering, National Chung-Hsing University, Taichung 402, Taiwan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    thin films; three-point bending; tin whisker; microstructure;

    机译:薄膜;三点弯曲;锡晶须微观结构;
  • 入库时间 2022-08-17 13:19:37

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