机译:使用不锈钢微尖端雕刻在硅基板上生长的GaN纳米线
Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, 208016, India;
Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, 208016, India,Department of Mechanical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, 208016, India;
Department of Mechanical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, 208016, India;
chemical vapor deposition; semiconductors; raman; nanowires; gan;
机译:等离子体辅助分子束外延生长的GaN纳米线在非晶Al_2O_3缓冲硅衬底上的排列
机译:在GaN缓冲的Si(111)衬底上生长的轴向(In,Ga)N / GaN纳米线异质结构中的晶格拉动效应和应变松弛
机译:通过选择性区域生长同质外延法提高GaN纳米线的光学性能:衬底和纳米线尺寸的影响
机译:在硅衬底上生长的GaAsP纳米线和纳米线器件
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:由在p硅衬底上生长的氢处理ZnO纳米线制成的异质结光电二极管
机译:在GaN缓冲的Si(111)衬底上生长的轴向(In,Ga)N / GaN纳米线异质结构中的晶格拉动效应和应变松弛
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层