机译:通过无催化剂的环境压力化学气相沉积法生长的单晶Bi2Se3纳米线
Guangdong Univ Technol, Sch Phys & Optoelect Engn, WaiHuan Xi Rd 100, Guangzhou 510006, Guangdong, Peoples R China|Xinjiang Univ, Coll Phys Sci & Technol, Xinjiang 830046, Urumqi, Peoples R China;
Guangdong Univ Technol, Sch Phys & Optoelect Engn, WaiHuan Xi Rd 100, Guangzhou 510006, Guangdong, Peoples R China|Xinjiang Univ, Coll Phys Sci & Technol, Xinjiang 830046, Urumqi, Peoples R China;
Guangdong Univ Technol, Sch Phys & Optoelect Engn, WaiHuan Xi Rd 100, Guangzhou 510006, Guangdong, Peoples R China;
Guangdong Univ Technol, Sch Phys & Optoelect Engn, WaiHuan Xi Rd 100, Guangzhou 510006, Guangdong, Peoples R China;
Bi2Se3; Vapor phase growth; Nanowires; Semiconductors; Nanocrystalline materials;
机译:通过无催化剂选择区域金属 - 有机化学气相沉积种植的高质量的INASSB纳米线
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的无催化剂InP纳米线的生长相关方面的研究
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的无催化剂InP纳米线的生长相关方面的研究
机译:通过常压化学气相沉积(CVD)在处理过的铜膜上生长的高质量可转移石墨烯
机译:化学气相沉积生长五股结构的铜纳米线及其应用研究。
机译:可扩展合成少数层2D钨丁烯烯(2h-wse2)纳米胸底直接在钨(w)箔上生长使用环境压力化学气相沉积来反转锂离子贮存
机译:使用环境压力化学气相沉积,可扩展合成少数层钨蛋白(2H-WSE2)纳米型直接在钨(W)箔上,用于可逆锂离子储存