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CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS, GUIDE MEMBER FOR THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD USING THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

机译:化学汽相沉积设备,化学汽相沉积设备的指南成员以及使用化学汽相沉积设备的化学汽相沉积方法

摘要

PURPOSE: A chemical vapor deposition apparatus, guide member for the chemical vapor deposition apparatus, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition apparatus are provided to replace only a guide member or additionally insert a guide member, thereby properly controlling a gas discharging path. CONSTITUTION: A first chamber(100) and a second chamber(200) are bonded each other to configure a reaction chamber(800). A processing gas inlet(101) is placed on the top of the first chamber. An inert gas inlet(102) supplies an inert gas(G2) to an inert gas curtain unit(400). The inert gas inlet is placed on a side of the first chamber. A shower head(300) makes a processing gas(G1) erupt toward a substrate(S). A guide member comprises an outer circumferential wall, a curved part, an inner circumferential wall, and an outlet.
机译:目的:提供化学气相沉积设备,用于化学气相沉积设备的引导构件以及使用该化学气相沉积设备的化学气相沉积方法,以仅替换引导构件或额外地插入引导构件,从而适当地控制气体排放路径。构成:第一腔室(100)和第二腔室(200)彼此结合以构成反应腔室(800)。处理气体入口(101)放置在第一腔室的顶部。惰性气体入口(102)将惰性气体(G2)供应至惰性气体幕帘单元(400)。惰性气体入口位于第一腔室的一侧。喷头(300)使处理气体(G1)向基板(S)喷出。引导构件包括外周壁,弯曲部,内周壁和出口。

著录项

  • 公开/公告号KR20110069756A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LIGADP CO. LTD.;

    申请/专利号KR20110051579

  • 发明设计人 HAN MYUNG WOO;

    申请日2011-05-30

  • 分类号H01L21/205;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:51:38

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