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郑春蕊;
石家庄经济学院材料科学与工程研究所;
北京理工大学材料科学与工程学院;
InN; 纳米线; 化学气相沉积;
机译:无催化剂化学气相沉积法制备的氧等离子体辅助的ZnO纳米线光响应增强
机译:金属有机化学气相沉积法合成在Si和Si(111)上由Au和自催化剂形成的液滴上生长的InN纳米线
机译:催化剂制备中有机添加剂对催化剂辅助化学气相沉积法制备单壁碳纳米管生长的影响
机译:化学气相沉积法在有催化剂和无催化剂下生长氮化铝纳米线的比较
机译:等离子辅助分子束外延法制备无催化剂的Ⅲ族氮化物纳米线:生长,表征和应用
机译:金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上催化剂辅助大面积生长单晶β-Ga2O3纳米线
机译:化学气相沉积法制备Ge纳米线及其表征
机译:等离子体辅助化学气相沉积法制备m2钢表面TiN涂层
机译:金属有机化学气相沉积法制备高品质N面GaN,InN和AlN及其合金的异相生长方法
机译:通过使用能够形成单Inn纳米合金而无需额外切割的Au催化层来生长Inn纳米线的方法
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