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机译:铜表面处理对化学气相沉积石墨烯生长的影响
Seoul Natl Univ, Coll Engn, Dept Mat Sci & Engn, Seoul 08826, South Korea;
Myongji Univ, Coll Engn, Dept Mat Sci & Engn, Yongin 17058, Gyeonggi, South Korea;
Samsung Adv Inst Technol, Suwon 16678, Gyeonggi, South Korea;
Graphene; Cu foil; Electropolishing; Surface roughness; Heteronucleation;
机译:HBN /石墨烯异质结构在Cu表面上的化学气相沉积中生长方向选择性的理论研究
机译:氧化作为一种手段,可以通过化学气相沉积法去除石墨烯生长之前铜箔上的表面污染物
机译:Cu(100)表面上石墨烯晶界的形成及其消除化学气相沉积生长的途径
机译:乙酸预处理对石墨烯OH铜生长温度的影响通过热化学气相沉积
机译:冷壁化学气相沉积法在负载型铜催化剂上单层石墨烯的成核和生长
机译:Cu(100)表面上石墨烯晶界的形成及其消除化学气相沉积生长的途径
机译:Cu(100)表面上石墨烯晶界的形成及其消除化学气相沉积生长的途径