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机译:超高Q 1D光子晶体纳米岩型在300 mm SOI CMOS平台上的高效共振管理
Photonics Research Group INTEC Department Ghent University-imec Technologiepark-Zwijnaarde 126 Gent 9052 Belgium;
IMEC Kapeldreef 75 Leuven 3001 Belgium;
IMEC Kapeldreef 75 Leuven 3001 Belgium;
IMEC Kapeldreef 75 Leuven 3001 Belgium;
Photonics Research Group INTEC Department Ghent University-imec Technologiepark-Zwijnaarde 126 Gent 9052 Belgium;
filters; photonic crystal nanocavities; quality factors; reflectors; silicon photonics;
机译:在硅光子平台上通过光刻法制造的CMOS兼容高Q光子晶体纳米腔
机译:193 nm浸没光刻技术在300 mm SOI衬底上的高Q光子晶体纳米腔
机译:双厚度SOI基板上的超高Q光子纳米腔器件,可在1.31和1.55μm的电信波长波段上工作
机译:在预图案化的光子晶体上通过扫描探针显微镜光刻制造的超高Q纳米腔
机译:用于半导体腔QED的1D和2D光子晶体纳米腔。
机译:在硅光子平台上通过光刻技术制造的CMOS兼容高Q光子晶体纳米腔
机译:采用193 nm浸没式光刻技术制造的300 mm sOI衬底上的高Q光子晶体纳米腔
机译:sOI / CmOs(si-On-Insulator / CmOs)电路在siO2涂层si衬底上的区域熔化 - 再结晶si薄膜中制造