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机译:4H-SiC衬底上TiO_2 / SiO_2高k栅介质堆叠中的漏电流和电荷俘获行为
School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Merz Court, University of Newcastle upon Tyne, Newcastle NE1 7RU, United Kingdom;
机译:通过掺氮减少高可靠的4H-SiC MIS器件中AI_2O_3 / SiO_2堆叠栅极电介质中的电荷俘获位点
机译:嵌入金属纳米晶体的High-κ/ SiO_2栅堆叠中的局部电荷俘获和横向电荷扩散
机译:Ge(100)衬底上生长的Hfo_2 / dy_2o_3栅堆叠中的电压依赖性弛豫,电荷陷阱和应力引起的漏电流效应的研究
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机译:存在高κ栅极绝缘体的块状Si NMOSFET中的电子传输:电荷俘获和迁移率
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
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