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机译:膜再氧化对氨快速热氮化生长超薄电介质生长和材料性能的影响
IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598;
机译:NH / sub 3 /热氮化对超薄SiO / sub 2 /薄膜介电性能的影响
机译:通过在N / sub 2 / O环境中对Si / sub 3 / N / sub 4 /薄膜进行原位快速热重氧化来形成高质量的存储电容器电介质
机译:快速热处理对氨中五氧化二铌薄膜的氮化
机译:使用快速热处理在一氧化氮环境中生长或退火的超薄介电膜(<5 nm)的特性
机译:氧化物表面和金属氧化物界面的反应性:水蒸气压力对超薄氧化铝膜的影响,以及铂在超薄氧化膜上的生长模式及其对粘附力的影响的研究。
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:一氧化氮环境中在硅上生长的高质量超薄介电膜