机译:在原子平坦的Si(111)平台上形成纳米压印光刻的离型层的降解行为
Materials Research Laboratory, Hitachi Ltd., 7-1-1 Omika, Hitachi, Ibaraki 319-1292, Japan Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University, Yoshida-Honmachi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan;
rnMaterials Research Laboratory, Hitachi Ltd., 7-1-1 Omika, Hitachi, Ibaraki 319-1292, Japan;
rnDepartment of Materials Science and Engineering, Kyoto University, Yoshida-Honmachi, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan;
机译:在原子平坦的Si(111)平台上形成纳米压印光刻的离型层的降解行为
机译:原子平坦的Si(111)平台上生长的SiO_2表面和界面的粗糙度增加
机译:通过硝酸氧化法在原子平坦的Si(111)表面上具有优异电性能的超薄SiO_2层
机译:纳米压印光刻的气相沉积释放层
机译:硅(001)和(111)上的原子平坦区域:通过蒸发或生长以及缺陷表征来制造。
机译:Ag(111)上生长的硅层的原子结构:扫描隧道显微镜和非接触式原子力显微镜观察。
机译:srRuO3薄膜的逐层生长和生长模式转变 原子级扁平单端srTiO3(111)表面
机译:非均匀压花模拟:纳米压印平版印刷中非对称邻近空腔对聚合物流动的影响