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机译:硅复合衬底上GaAs假晶高电子迁移率晶体管的分子束外延生长及其性能
Raytheon Company, Andover, Massachusetts 01810;
rnRaytheon Company, Andover, Massachusetts 01810;
rnRaytheon Company, Andover, Massachusetts 01810;
rnRaytheon Company, Andover, Massachusetts 01810;
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rnRaytheon Company, Andover, Massachusetts 01810;
rnRaytheon Company, Andover, Massachusetts 01810;
rnRaytheon Company, Andover, Massachusetts 01810;
rnRaytheon Company, Andover, Massachusetts 01810;
rnMassachusetts Institute of Technology, Massachusetts 02139;
rnMassachusetts Institute of Technology, Massachusetts 02139;
rnIQE Inc., Bethlehem, Pennsylvania 18015;
rnIQE Inc., Bethlehem, Pennsylvania 18015;
机译:GaAs衬底上应变补偿的Al_0.3In_0.7P / InP / Al_0.3In_0.7P变质-拟晶高电子迁移率晶体管的分子束外延生长和表征
机译:用于低功率和高频应用的GaAs衬底上的变质AllnSb / GalnSb高电子迁移率晶体管结构的分子束外延生长
机译:InP衬底上分子束外延生长的InAlAs / InGaAs拟态高电子迁移率晶体管
机译:用于高电子迁移率晶体管的硅增量掺杂GaInP / GaInAs / GaAs伪晶异质结构的低温生长和表征
机译:基于磷化铟的复合通道高电子迁移率晶体管结构的固体源分子束外延,用于微波和毫米波功率应用。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:Pseudomorphic IN0.53 + XGA0.47-XAS / IN0.52AL0.48AS(0≤x≤0.32)调制掺杂场效应晶体管的关系与分子束外延生长模式的性能特征
机译:假晶In(0.53 + x)Ga(0.47-x)as / In(0.52)al(0.48)as(0 <或= x <或= 0.32)调制掺杂场效应晶体管的性能特征与分子的关系-Beam外延生长模式