机译:氢倍半硅氧烷中电子束暴露机理的振动光谱和原位电子束诱导的解吸研究
Molecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720;
rnVistec Lithography Inc., 125 Monroe St. Watervliet, NY 12189;
rnMolecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720;
rnMolecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720;
rnMolecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720;
机译:倍半硅氧烷抗蚀剂的电子束曝光机理的扫描X射线显微镜研究
机译:倍半硅氧烷氢用作负电子束抗蚀剂时的时间依赖性曝光剂量
机译:氢气解吸过程中MgH2中Nb-H纳米团簇的原位X射线吸收光谱-X射线衍射研究
机译:用原位MIR-IRAS研究了由于氢等离子体暴露导致的Si(110)表面氢化
机译:氮和氢与各种1D和3D碳材料之间的相互作用通过原位振动光谱法进行了探测。
机译:丙甲菌素的相互作用与细胞模型膜查处利用和频振动光谱的实时原位
机译:通过振动光谱研究和原位电子束诱导解吸研究氢倍半硅氧烷的电子束曝光机制