原位电子束诱导碲化锑（Sb2Te3）及硅掺杂的晶化

摘要

Sb2Te3是一种基础的功能材料，在掺杂基础上主要应用其温差电特性作为新型能源如太阳能和应用其固态相变特性作为随机存储器的关键材料。其中下一代基于CMOS（complementary metal oxide semiconductor）技术的电脉冲致相变随机存储器需要在GeTe-Sb2Te3体系的背景下寻找更合适的材料。电脉冲和高速运动的电子在材料中有近似的作用，利用透射电子显微镜可以进行原位电子束诱发晶化过程的显微结构变化研究。