机译:通过二氧化硅层和硅的自对准等离子体刻蚀,无需光刻即可实现亚100 nm结构
Institute of Technical Physics, University of Kassel, Heinrich-Plett-Strasse 40, D-34109 Kassel, Germany;
机译:使用金顶部触点的自对准选择性发射极硅太阳能电池的原位制造,以促进合成纳米结构的黑色硅抗反射层,而不是外部金属纳米粒子催化剂
机译:通过电感耦合等离子体刻蚀为硅微光学结构制造倾斜的侧壁
机译:通过电感耦合等离子体刻蚀为硅微光学结构制造倾斜的侧壁
机译:含氟和含氯等离子体通过离子轰击法制备多晶硅中的亚微结构
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:通过使用ZnO纳米结构和Al2O3钝化层可以轻松环保地制造高性能多晶硅太阳能电池
机译:利用双向刻蚀法制备100nm规模的硅三维光子晶体结构
机译:用于研究si反转层中干涉和限制的量子效应的亚100nm线宽周期结构的制作