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机译:利用双向刻蚀法制备100nm规模的硅三维光子晶体结构
Hippo D.; Kawata Y.; Tsuchiya Yoshishige; Mizuta Hiroshi; Oda S.; Urakawa K.; Koshida N.;
机译:自对准双向电化学刻蚀法制备的硅三维光子晶体结构自发控制硅纳米晶体
机译:使用单晶硅的纳米尺度各向异性刻蚀制造3D分形结构
机译:InP异质结构中高纵横比双缝光子晶体波导的超低压感应耦合等离子体刻蚀
机译:使用双向蚀刻方法在100nm刻度中制造硅3D光子晶体结构
机译:硅和氮化镓光子晶体结构制造工艺的发展。
机译:质子束写入结合电化学刻蚀法制备的硅基光子晶体
机译:采用自对准双向电化学刻蚀法制备的硅三维光子晶体结构对硅纳米晶的自发发射控制
机译:通过离子束蚀刻的晶圆级制造独立式机械和光子结构的系统和方法
机译:通过离子束刻蚀制造晶圆级独立式机械和光子结构的系统和方法
机译:离子束刻蚀自由站立式机械和光子结构的晶片级制造系统和方法
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