机译:等离子体掺杂技术制造纳米级金属氧化物半导体器件
Nanoelectronic Devices Team, Future Technology Research Division, ETRI, 161 Gajeong-dong, Yusong, Daejon 305-350, Korea;
机译:先进的高迁移率Ge通道金属氧化物半导体器件的栅堆叠技术-锗氧化物的基本方面以及等离子氮化技术在可扩展氮氧化物电介质制造中的应用
机译:用于高级互补金属氧化物半导体器件的GaAs上超薄HfO_2层的纳米级选择性等离子体蚀刻。
机译:纳米级p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的等离子氮化氧化物的器件性能和负偏压温度不稳定性的研究
机译:用于半导体器件制造的等离子体掺杂系统的等离子体表征
机译:聚合物基金属氧化物半导体和非易失性存储设备的制造和表征。
机译:重掺杂硼的硅层用于纳米级热电器件的制造
机译:金属氧化物半导体纳米级装置中单磷供体的电子旋转舒适
机译:半导体测量技术:更有效利用中子嬗变掺杂硅的技术障碍,用于大功率器件制造