...
机译:In_xAl_(1-x)As在6.05 A的InP上生长的渐变缓冲层的应变弛豫和表面粗糙度
Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, Los Angeles, California 90095-1595;
机译:GaAs(001)上分子束外延生长的凸渐变In_xAl_(1-x)As(x = 0.05-0.79)变质缓冲层中的应变弛豫
机译:生长温度对固体源分子束外延生长In_xAl_(1-x)As渐变层的外延应变弛豫和倾斜的影响
机译:生长温度对固体源分子束外延生长In_xAl_(1-x)As渐变层的外延应变弛豫和倾斜的影响
机译:应变弛豫和in_xAl_(1-x)之间的相互关联作为分子束外延生长的GaAs底物上的组成分步缓冲层
机译:InP基质上III-V级阴离子变质缓冲液的科学和应用。
机译:缓冲剂类型对InP(100)衬底上生长的In0.82Ga0.18As外延层的影响
机译:用于在蓝宝石上生长的GaN / InGaN外延层中的应变弛豫的渐变InGaN缓冲器
机译:应变松弛和表面粗糙度作为线性渐变In(x)al(1-x)as(x = 0.05至0.25)缓冲液中生长温度的函数。