机译:通过分子束外延生长的高铟含量InGaN外延层中的缺陷,应变松弛和成分分级
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:通过使用渐变AlxGa1-xN / AlN多缓冲层倾斜在AlN /蓝宝石模板上生长的Al0.45Ga0.55N外延层中的位错倾斜来放松压缩应变
机译:Si基InGaN / GaN外延层中V位形成和应变弛豫的基于位错的热力学模型
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:用于在蓝宝石上生长的GaN / InGaN Epliayers中的应变弛豫的渐变InGaN缓冲器