机译:生长温度对固体源分子束外延生长In_xAl_(1-x)As渐变层的外延应变弛豫和倾斜的影响
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机译:GaAs(001)上分子束外延生长的凸渐变In_xAl_(1-x)As(x = 0.05-0.79)变质缓冲层中的应变弛豫
机译:固相外延生长的Si_(1-x)Ge_x层中的应变弛豫机制:层组成和生长温度的影响
机译:应变弛豫和in_xAl_(1-x)之间的相互关联作为分子束外延生长的GaAs底物上的组成分步缓冲层
机译:硅给体(DX中心)和生长温度对分子束外延生长的砷化镓/砷化镓铝异质结构的影响。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:在分子束外延生长的高铟含量Ingan癫痫患者中的缺陷,应变松弛和组成分级
机译:aLE(原子层外延)和mBE(分子束外延)方法在层状Hg(1-x)Cd(x)Te薄膜生长中的应用