机译:通过扫描电容显微镜对InGaN / GaN量子阱中的厚度和成分涨落进行成像
Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, La Jolla, California 92093-0407;
机译:通过扫描电容显微镜和光谱法观察InGaN / GaN量子阱中地下单层厚度的波动
机译:通过扫描电容显微镜观察InGaN / GaN量子阱异质结构中In浓度的变化
机译:在GaN平面和GaN三角棱镜的晶面上生长的InGaN / GaN量子阱中,激子本地化与成分波动相关
机译:定量高分辨率电子显微镜确定InGaN / GaN量子阱中铟成分的波动
机译:开发用于扫描电容显微镜的ZeptoFarad(10(-21)F)分辨率电容传感器
机译:使用近场扫描光学显微镜和相关分析研究带有V坑的InGaN / GaN量子阱中的载流子定位和转移
机译:通过扫描近场光学显微镜探测的GaN微面上的(11(2)over-bar2)InGaN / GaN量子阱的有效绿色发射