机译:通过原子层沉积和等离子体增强原子层沉积沉积的Ta_2O_5薄膜的纳米化学,纳米结构和电学性质
School of Materials, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-6006;
机译:原子层沉积和等离子体增强原子层沉积Ta_2O_5的比较研究以及对原位氮化的电性能的影响
机译:等离子增强原子层沉积生长的ZnO薄膜:“原子层沉积窗口”内外的材料特性
机译:通过热和等离子体增强原子层沉积沉积的ZnO薄膜的结构,光学,电和电阻转换特性
机译:通过衬底偏置控制通过等离子体增强原子层沉积法沉积的Al2O3薄膜的机械,结构和光学性质
机译:薄膜应用的分子工程:区域选择性原子层沉积(ALD)和分子原子层沉积(MALD)。
机译:等离子体增强原子层沉积在低温下沉积的HfO2薄膜的结构光学和电学性质
机译:使用等离子体增强的原子层沉积在低温下沉积HFO2薄膜的结构,光学和电性能