机译:静态随机存取存储位单元的栅极蚀刻工艺模型和FinFET构造
Freescale Semicond Inc, Austin, TX 78721 USA;
HIGH-DENSITY PLASMAS; CHLORINE-BASED CHEMISTRY; HBR/CL-2/O-2; PHOTORESIST;
机译:基于16nm的鲁棒DG-FinFET的10T静态随机存取存储器单元设计,用于超低功耗设计
机译:研究纳米级FinFET中的寄生电阻和电容效应及其对静态随机存取存储单元的影响
机译:存在过程变化和负偏置温度不稳定性效应的静态随机存取存储单元读取裕度概率分布函数的解析模型
机译:静态随机存取存储器位单元的可靠性提高
机译:基于较低技术节点(7nm)的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
机译:静态随机存取存储器物理不可克隆函数中最强单元的陷阱
机译:具有32nm Fin键盘型晶体管的六晶体管静态随机存取存储器静态噪声裕度的数值模拟
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)