机译:摘要摘要:GaAs(111)和GaAs(1’1’1’)表面重建的比较研究
机译:摘要摘要:(2×2)GaAs(111)表面的多层重建
机译:选择性区域金属有机蒸气相外延中GaAs纳米线和四面体双缺陷的分析及其与GaAs(111)B表面重建的关系
机译:GaAs {111}表面(2 x 2)重建的光发射研究
机译:Ga诱导的GaAs(111)B表面表面重构的理论研究
机译:蛋白质表面吸附反应,GaAs晶体生长及水解机理的理论模型研究
机译:考虑表面振动和新的(111)B重构的GaAs和InAs的平衡晶体形状:从头算热力学
机译:X射线光电子能谱研究(111)B表面上基于AlGaAs / GaAs量子结构的硅中间层的表面钝化
机译:极地半导体表面的从头算理论。 I.方法和Gaas(111)的(2X2)重建