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机译:用于非易失性存储器应用的高k类MNOS堆叠电介质
NASU, V Lashkaryov Inst Semicond Phys, 41 Pr Nauky, UA-03028 Kiev, Ukraine|Univ Toulouse, CNRS, CEMES, 29 Rue J Marvig, F-31055 Toulouse 4, France|Univ Caen, ENSICAEN, CEA, CIMAP,CNRS, 6 Blvd Marechal Juin, F-14050 Caen 4, France;
INN NCSR Demokritos, 153 10 Aghia Paraskevi,POB 60228, Athens, Greece;
Univ Caen, ENSICAEN, CEA, CIMAP,CNRS, 6 Blvd Marechal Juin, F-14050 Caen 4, France;
ICube, 23 Rue Loess, F-67037 Strasbourg, France;
Univ Toulouse, CNRS, CEMES, 29 Rue J Marvig, F-31055 Toulouse 4, France;
High-k dielectrics; RF magnetron sputtering; Plasma-enhanced chemical vapor deposition; Memory effect;
机译:钛酸铅锆酸盐金属/铁电/高K /半导体(M / Fe / High-K / S)栅堆叠,用于非易失性存储应用
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机译:用于非易失性存储器中控制电介质的Hfalo高k材料评估
机译:使用高k介电层降低非易失性闪存的编程电压
机译:用于非易失性存储器应用的高k电介质和金属栅电极的研究。
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机译:作为新型非易失性存储器的高k介质中嵌入的AU纳米簇的存储特性的增长环境